Visão geral do produto
Nosso sistema de gravação por feixe de íons (IBE) é um equipamento de processamento de materiais de alta-precisão projetado para a indústria de micro{1}}nano fabricação. Ele utiliza um feixe de íons focado e controlável para realizar gravação física na superfície de materiais de filme-fino, permitindo processos seletivos de gravação ou remoção-com alta precisão.
Este sistema foi projetado profissionalmente para processar uma ampla variedade de materiais-de filmes finos, incluindo, entre outros, Cu, Cr, Pt, Au, Ti, Ag e Al₂O₃. Ele oferece suporte a tamanhos de wafer padrão de 6 e 8 polegadas, o que o torna altamente compatível com os principais processos de fabricação de semicondutores e sistemas micro{4}}eletro{5}}mecânicos (MEMS). Ao aproveitar a tecnologia de gravação de baixa-temperatura e baixo-dano, ela fornece uma solução ideal para a preparação de micro-dispositivos nano de alto{9}}desempenho.
Vantagens
Alta Precisão e Controle de Processo
O sistema é integrado a um sistema avançado de detecção de endpoint de gravação, que permite monitoramento-em tempo real e controle preciso de todo o processo de gravação. Isso garante excelente repetibilidade e precisão, com uma uniformidade de gravação menor ou igual a ±5% (tanto no wafer quanto no wafer-para-wafer), garantindo resultados consistentes de alta-qualidade em lotes de produção.
Compatibilidade de Processo Superior
Ele atende aos requisitos de gravação em vários-ângulos, baixas-temperaturas (0 graus – 30 graus) e baixos-danos. Esse recurso é crucial para proteger materiais-sensíveis à temperatura e frágeis, minimizando danos ao substrato e preservando as propriedades intrínsecas dos filmes finos, melhorando significativamente o rendimento e o desempenho do dispositivo.
Configuração flexível e escalável
Para atender às diversas necessidades de produção e P&D, o sistema oferece uma arquitetura de ferramenta de cluster opcional. Esse design modular permite a integração de diversas câmaras de processo, facilitando a integração perfeita de processos, a fabricação de alto-volume e a automação eficiente do fluxo de trabalho, tornando-o adequado tanto para pesquisa de laboratório quanto para produção industrial em massa.
Aplicações
O Ion Beam Etching System é um equipamento essencial no campo da fabricação avançada de micro-nano, com uma ampla gama de aplicações:
1. Fabricação de dispositivos semicondutores
Ele é usado para padronização precisa de eletrodos metálicos, interconexões e estruturas de portas em circuitos integrados (CIs), bem como para corte e ajuste de resistores e capacitores de filme fino.
2. Fabricação de MEMS e NEMS
Ele desempenha um papel vital na fabricação de micro-sensores, micro{1}}atuadores e outros dispositivos MEMS/NEMS, permitindo a criação de microestruturas de alta-proporção-e estruturas suspensas com alta precisão.
3. Produção de dispositivos optoeletrônicos
Ele é aplicado ao processamento de materiais-de filmes finos em lasers, fotodetectores e guias de onda ópticos, facilitando a produção de componentes optoeletrônicos-de alto desempenho.
4. Embalagem e interconexão avançadas
Ele é usado em tecnologias de empacotamento avançadas para gravação seletiva de camadas de redistribuição (RDLs) e preparação de estruturas de colisão de alta-precisão.
Perguntas frequentes
P: 1. O que é um sistema de gravação por feixe de íons (IBE)?
R: Um sistema de gravação por feixe de íons (IBE) é um equipamento de processamento micro{1}}nano de alta-precisão que usa um feixe de íons focado para realizar gravação física em materiais-de filme fino. É usado principalmente para gravação e remoção seletiva de vários filmes finos e é amplamente utilizado em semicondutores, MEMS, optoeletrônica e outros campos.
P: 2. Para quais materiais o Sistema IBE é adequado?
R: Este sistema IBE é adequado para gravação ou remoção seletiva de materiais de filmes finos, como Cu, Cr, Pt, Au, Ti, Ag e Al₂O₃, e pode atender às necessidades de processamento de vários metais comuns e filmes finos dielétricos.
P: 3. Quais tamanhos de wafer a máquina de gravação por feixe de íons suporta?
R: A máquina de gravação por feixe de íons suporta dois tamanhos de wafer padrão: 6 polegadas e 8 polegadas, o que é compatível com as principais especificações de processamento de wafer da indústria e atende às necessidades de P&D e produção de pequenos-lotes.
P: 4. Quais são as vantagens da tecnologia de gravação por feixe de íons?
R: A gravação por feixe de íons tem as vantagens de baixa temperatura (0 graus ~ 30 graus), baixo dano, processamento multi-ângulo e alta uniformidade. Pode reduzir o estresse térmico e os danos materiais e garantir a estabilidade e consistência do processo de gravação.
P: 5. Qual é a uniformidade de gravação do Sistema IBE?
Sim, a máquina de gravação por feixe de íons está integrada a um sistema avançado de detecção de endpoint de gravação, que pode monitorar o processo de gravação em tempo real, obter controle preciso do processo de gravação e evitar gravação excessiva ou insuficiente.
P: 6. A máquina de gravação por feixe de íons tem uma função de detecção de ponto final?
R: Sim, a máquina de gravação por feixe de íons está integrada a um sistema avançado de detecção de endpoint de gravação, que pode monitorar o processo de gravação em tempo real, obter controle preciso do processo de gravação e evitar gravação excessiva ou insuficiente.
P: 7. O Sistema IBE pode ser configurado com múltiplas câmaras de processo?
R: Sim, o Sistema IBE suporta uma arquitetura de cluster opcional, que pode ser equipada com múltiplas câmaras de processo de gravação para atender às necessidades de troca flexível de processos e maior eficiência de produção.
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