Visão geral do produto
Nossa série ICP Etcher (Inductively Coupled Plasma Etcher) é uma-solução de gravação a seco de última geração desenvolvida para microfabricação de alta-precisão-perfeita para trabalhos avançados de semicondutores e microeletrônicos. Ele se baseia na tecnologia de plasma acoplado indutivamente para fornecer densidade de plasma sólida, controle de processo confiável e ampla adaptabilidade de materiais. Esses recursos atendem às demandas exigentes de fabricação de dispositivos de próxima{5}}geração, pesquisa de materiais e produção industrial. Combinamos a geração inovadora de plasma com ajuste preciso de parâmetros e opções de configuração flexíveis, permitindo que os usuários obtenham gravação de alta-proporção-de aspecto, com poucos danos e consistente em todos os aspectos. Ele realmente se tornou uma-ferramenta indispensável para impulsionar o processamento micro-nano.
Aplicativos
1. Fabricação de semicondutores e IC: padronização de transistores frontais-, gravação TSV (através-de silício via) e trabalho de empacotamento avançado – o tipo de processos principais que mantêm a produção de IC no caminho certo.
2. Dispositivos semicondutores compostos: construção de eletrônicos de potência baseados em GaN-, optoeletrônicos GaAs/InP (pense em LEDs, lasers, fotodetectores) e dispositivos de potência SiC para aplicações de alto-desempenho.
3. MEMS e microfluídica: gravação de estruturas de alta-proporção-de proporção, adaptada para micro-sensores, atuadores e chips microfluídicos de diagnóstico.
4. 2Material D e nanotecnologia: gravação e padronização precisas de materiais 2D (grafeno, MoS₂) – muito útil para dispositivos eletrônicos de-nova geração e projetos de pesquisa em-escala nano.
Vantagens
- Conceito de-design de corpo único: pegada-excelente (ref 1,0m* 1,5m)
- Kits de design de processo dependendo dos requisitos: Melhor desempenho do processo
- Forro da câmara, controle de temperatura do eletrodo: Adequado para diferentes aplicações de processos
- Intervalo de descarga de plasma ajustável: ajustado como parâmetro de forma dependente
- Orientação de custo ou desempenho opcional: RF, Bomba, Valores etc. dependendo dos requisitos
- Especialização em plasma: tecnologia de plasma de baixa potência, dano iônico-gratuito
- Manipulação de amostra opcional: Abrir-Carregar ou Carregar-Bloquear
Parâmetros
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Especificação |
Parâmetros |
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Faixa de tamanho de wafer |
4,6,8,12 polegadas ou multi{4}}wafers opcionais |
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Materiais de gravação |
Baseado em Si-(Si/SiO2/ SiNx/ SiC/Quartzo etc.), |
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Vácuo |
TMP e bomba mecânica |
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Potência RF |
Fonte 1000-3000W, Bias 300-1000W, opcional |
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Sistema de Gás |
5 linhas (padrão) e resfriamento traseiro, ou |
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Estágio de wafer |
De-70 graus a 200 graus, opcional |
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Não-uniformidade |
Menos de ± 5% (exclusão de borda) |
Perguntas frequentes
Quais são as principais vantagens que o ICP Etcher oferece em comparação com o equipamento de gravação tradicional?
Possui alta densidade de plasma (10¹¹–10¹² cm⁻³) para taxas de gravação mais rápidas (até 10.000 Å/min) e controle de RF duplo independente (fonte + polarização), permitindo ajuste preciso da densidade do plasma e da energia dos íons. Isso alcança anisotropia superior, dano iônico ultra{6}}baixo e não-uniformidade de gravação<±3%, outperforming traditional etchers in high-precision and complex process scenarios.
Com quais tamanhos e materiais de wafer o ICP Etcher é compatível?
Ele suporta processamento de wafer único-ou de vários{7}}wafers de 4/6/8/12- polegadas, com estágios de amostra personalizáveis para substratos especiais. Os materiais cobertos incluem à base de Si (Si/SiO₂/SiNₓ/SiC), semicondutores compostos (GaN/GaAs/InP/Ga₂O₃), materiais 2D (grafeno/MoS₂/BN), metais (W/Ta/Mo), diamante e polímeros.
O equipamento pode ser personalizado para necessidades específicas do processo?
Sim, ele oferece configurações flexíveis: manuseio de amostras Open{0}}Load/Load{1}}Lock opcional, 4 a 8 linhas de gás expansíveis, faixas de potência de RF personalizáveis, -controle de temperatura do estágio wafer de 70 a 200 graus e complementos-como OES{9}}in-situ para monitoramento de endpoint. Construções orientadas para custo ou desempenho estão disponíveis para atender aos requisitos de pesquisa ou produção em massa.
Qual é o desempenho típico de gravação (proporção, seletividade, qualidade da parede lateral)?
Ele atinge proporções de aspecto de até 30:1, seletividade (por exemplo, SiO₂/Si) de até 150:1 e inclinação da parede lateral maior ou igual a 89 graus, tornando-o ideal para gravação de estruturas de alta-proporção-em MEMS, TSV e dispositivos semicondutores avançados.
Qual sistema de vácuo o equipamento utiliza e quão estável ele é?
É equipado com uma combinação de bomba turbomolecular TMP + bomba mecânica, atingindo uma pressão base menor ou igual a 5×10⁻⁷ Torr e controle preciso da pressão do processo (1–1000 mTorr via MFC), garantindo estabilidade consistente do plasma e qualidade de gravação.
O ICP Etcher é adequado para processamento com baixo-dano de materiais sensíveis?
Sim, ele oferece um modo opcional de plasma de baixa{0}}polarização que minimiza os danos do bombardeio de íons, tornando-o compatível com materiais 2D, dispositivos optoeletrônicos frágeis e semicondutores de alto-desempenho que exigem preservação da integridade da superfície.
Para quais cenários de aplicação o equipamento foi projetado?
É amplamente utilizado na fabricação de semicondutores/IC (padronização de transistores, gravação TSV), dispositivos semicondutores compostos (eletrônica de potência GaN, lasers LED), MEMS/microfluídica, pesquisa de materiais 2D e processamento de dispositivos biomédicos (modificação da superfície do implante).
Quais são os requisitos de espaço e utilidade para instalação?
O design compacto e integrado ocupa uma área de aproximadamente 1,0 m x 1,5 m. Os requisitos de serviços públicos incluem fonte de alimentação padrão, água de resfriamento, ar limpo e seco e sistema de exaustão-especificações detalhadas são fornecidas no guia de pré-instalação para preparação do local.
Que tipo de suporte-e treinamento pós-venda são oferecidos?
Oferecemos instalação-no local, comissionamento e treinamento de processo personalizado. Uma equipe global de suporte técnico fornece assistência remota 24 horas por dia, 7 dias por semana, com fornecimento de peças de reposição e serviços de manutenção regulares para minimizar o tempo de inatividade.
Como o ICP Etcher equilibra custo e desempenho para diferentes usuários?
Ele fornece duas orientações de configuração: versões-orientadas para custos com componentes essenciais para pesquisa de laboratório e opções-orientadas para desempenho (RF de alta-potência, módulos de monitoramento avançados) para produção industrial em massa,-garantindo custo-benefício-ótimo para diversas necessidades do usuário.
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