Visão geral do produto
Este equipamento de deposição de feixe de íons é um sistema de deposição de filmes finos de alta{0}precisão projetado para a preparação de fios metálicos e filmes finos de contato ôhmico na fabricação de dispositivos infravermelhos. Ele foi projetado para depositar filmes finos de alta-qualidade de Cr, Pt, Au, Cu, Ti, Ag e outros metais em superfícies de wafer, fornecendo uma solução confiável e eficiente para a fabricação de camadas de contato críticas em dispositivos optoeletrônicos.
Vantagens
Deposição de filme de alta adesão: adota uma arquitetura de fonte de íons-dupla com tecnologia de deposição auxiliar, que melhora significativamente a adesão dos filmes finos depositados, garantindo estabilidade-de longo prazo e confiabilidade das camadas de contato do dispositivo.
Controle preciso de temperatura: apresenta um sistema de controle de temperatura de estágio de wafer de ampla-faixa (10 graus a 80 graus), permitindo a regulação precisa da temperatura de deposição para otimizar a qualidade e uniformidade do filme.
Ângulos de Deposição Flexíveis: equipado com um design de estágio de peça de trabalho multi-ângulo, que pode atender aos requisitos de deposição de filme fino em diferentes ângulos, adaptando-se a diversas estruturas de dispositivos e necessidades de processo.
Excelente uniformidade de processo: oferece uniformidade superior de espessura de filme (melhor que ±5% dentro e entre wafers), garantindo desempenho consistente em todo o wafer e reprodutibilidade de lote-a{2}}lote.
Grande compatibilidade de processamento: suporta tamanhos de wafer de até 8 polegadas, compatível com as principais especificações de wafer do setor, atendendo às necessidades de produção de dispositivos-de médio e grande porte.
Aplicativos
O equipamento é utilizado principalmente naindústria de dispositivos infravermelhos, especificamente para a preparação de fios metálicos e filmes finos de contato ôhmico. Ele atende aos requisitos de deposição de filmes finos para vários materiais metálicos (Cr, Pt, Au, Cu, Ti, Ag) em superfícies de wafer, suportando a produção de componentes optoeletrônicos infravermelhos de alto-desempenho.
Perguntas frequentes
P: 1. Para que é usado o equipamento de deposição de feixe de íons?
R: Ele deposita filmes finos de Cr, Pt, Au, Cu, Ti, Ag em wafers para fiação metálica e contatos ôhmicos em dispositivos infravermelhos.
P: 2. Quais são as vantagens do projeto de fonte de íons-dupla?
R: Ele aumenta a adesão do filme, melhora a uniformidade e suporta crescimento de filme fino-estável e de alta{0}}qualidade.
P: 3. Qual tamanho de wafer ele suporta?
R: Suporta wafers de até 8 polegadas, compatíveis com as principais especificações da indústria.
P: 4. Qual é a faixa de temperatura do estágio de trabalho?
R: A faixa de temperatura é de 10 graus a 80 graus para controle preciso do processo.
P: 5. Como é a uniformidade da espessura do filme?
R: A uniformidade é melhor que ±5% no wafer e em lote-a{2}}lote.
P: 6. Quais metais ele pode depositar?
R: Deposita Cr, Pt, Au, Cu, Ti, Ag e filmes finos de metal semelhantes.
P: 7. É adequado para produção de dispositivos infravermelhos?
R: Sim, ele foi projetado para contato com dispositivos infravermelhos e preparação de filme de chumbo.
Tag: sistema ibd, fabricantes e fornecedores de sistemas ibd na China
