Visão geral do produto

Na linha de produção de semicondutores, o Sistema de Revestimento e Revelação é um equipamento chave indispensável, essencial desde o protótipo inicial do chip até a formação de padrões de circuito. Depois de receber o substrato, o Sistema de Revestimento e Revelação primeiro ativa o sistema de rotação de alta-velocidade. O fotorresistente se espalha uniformemente com a mesa giratória-com velocidade precisa e controlada, e até mesmo as bordas-de nível milimétrico podem ser revestidas suavemente-esta etapa é o maior teste de precisão, e um ligeiro desvio afetará o desempenho subsequente do chip.

O fotorresiste revestido ainda precisa ser curado. A placa de aquecimento integrada-do sistema de revestimento e revelação aquecerá gradualmente para fazer com que a camada adesiva adira firmemente ao substrato. Depois que a máquina de litografia completa a exposição, ela assume imediatamente o processo de revelação. Ao controlar a temperatura e a intensidade de pulverização do revelador, ele remove o excesso de camada adesiva não exposta e o padrão básico do circuito integrado é assim revelado.

No uso prático, a precisão da largura da linha do Sistema de Revestimento e Revelação é particularmente confiável e é adequada para vários processos de fabricação de cavacos. Além disso, a capacidade de produção, que é mais valorizada na linha de produção, também é excelente. Ele pode processar um grande número de substratos por hora, embora tenha baixo uso de memória. Ele pode funcionar continuamente por mais de dez horas de forma estável e pode acompanhar totalmente o ritmo de produção em massa.

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Vantagens

A fabricação de chips de alta{0}precisão depende da técnica de revestimento giratório de precisão, que garante uma aplicação fotorresistente consistente e diminui significativamente as dificuldades de processamento subsequentes.

Problemas complexos como alinhamento de tempo e transferência de wafer entre dispositivos são facilmente resolvidos por métodos especiais de controle colaborativo.

Avanços significativos na precisão do controle de temperatura, homogeneidade em nível nanoescala e controle de defeitos resultaram em taxas de rendimento acima de 90%.

A solução especializada de revestimento giratório é apropriada para todos os tipos de substrato e pode ser aplicada em wafers com diferentes espessuras e formatos incomuns.

A uniformidade e a eficiência são equilibradas pela velocidade de rotação e pressão de revestimento otimizadas, o que reduz significativamente as perdas de rendimento e facilita a fabricação de cavacos com formatos irregulares.

Parâmetros

①DS 100

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Visão geral do dispositivo DS 100
Tamanho do dispositivo (mm)	*282510801600* Interface 2C2D+	Tamanho da bolacha	Bolachas de 2 a 6 polegadas (50 mm a 100 mm)
WPH	Menor ou igual a 160 unidades	MTTR	Menor ou igual a 4 horas
Classificação de Mérito	Class1@0.1μm Apenas área de transferência de wafer	MTBF	Maior ou igual a 1000 horas
Processo aplicável	Eu ligo, PI, PR	MTBM	>seis meses
Material de contato de wafer	PEEK/PTFE/CERÂMICA	Taxa de quebra de wafer	Menor ou igual a 0,01%
Cassetes	SMIF; ABRIR CASSETE	TEMPO ATIVO	Maior ou igual a 95%
Área de aplicação	Semicondutor composto, circuito integrado, dispositivo de energia, projeto de pesquisa científica, dispositivo óptico, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, wafer warping, wafer quadrado	Ambiente de execução de software	Sistema operacional Windows 10 ou posterior
Largura mínima da linha	350 nm	Módulo de placa fria e quente	(HP; CPL; ADH; HHP) Menor ou igual a 14PCS

②DS 200

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Visão geral do dispositivo DS 200
Tamanho do dispositivo (mm)	*166015102000* (Projeto da Torre)	Tamanho da bolacha	Bolachas de 2 a 6 polegadas (50 mm a 100 mm)
WPH	Menor ou igual a 150 unidades	MTTR	Menor ou igual a 4 horas
Classificação de Mérito	Class1@0.1μm Apenas área de transferência de wafer	MTBF	Maior ou igual a 1000 horas
Processo aplicável	Eu ligo, PI, PR	MTBM	>seis meses
Material de contato de wafer	PEEK/PTFE/CERÂMICA	Taxa de quebra de wafer	Menor ou igual a 0,01%
Cassetes	SMIF; ABRIR CASSETE	TEMPO ATIVO	Maior ou igual a 95%
Área de aplicação	Semicondutor composto, LED, dispositivo óptico, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, wafer warping, wafer quadrado	Ambiente de execução de software	Sistema operacional Windows 10 ou posterior
Largura mínima da linha	350 nm	Módulo de placa fria e quente	(HP; CPL; ADH; HHP) Menor ou igual a 14PCS

③DS300

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Visão geral do dispositivo DS300
Tamanho do dispositivo (mm)	*285013602200* Interface 2C2D+	Tamanho da bolacha	Bolachas de 4 a 8 polegadas (100 mm- 200mm)
WPH	Menor ou igual a 160 unidades	MTTR	Menor ou igual a 4 horas
Classificação de Mérito	Class1@0.1μm Apenas área de transferência de wafer	MTBF	Maior ou igual a 1000 horas
Processo aplicável	Eu ligo, PI, PR	MTBM	>seis meses
Material de contato de wafer	ASML, Nikon, CANON, CECT, SMCC	Taxa de quebra de wafer	Menor ou igual a 0,01%
Cassetes	SMIF; ABRIR CASSETE	TEMPO ATIVO	Maior ou igual a 95%
Área de aplicação	Semicondutor composto, circuito integrado, dispositivo de energia, chip de memória, projeto de pesquisa científica, dispositivo óptico, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, wafer warping, wafer quadrado	Ambiente de execução de software	Sistema operacional Windows 10 ou posterior
Largura mínima da linha	180 nm	Módulo de placa fria e quente	(HP; CPL; AD; DHP) Menor ou igual a 24PCS

④DS 400

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Visão geral do dispositivo DS 400
Tamanho do dispositivo (mm)	*397516552550* Interface 4C4D+	Tamanho da bolacha	Bolachas de 6 a 8 polegadas (150 mm- 200mm)
WPH	Menor ou igual a 180 unidades	MTTR	Menor ou igual a 4 horas
Classificação de Mérito	Class1@0.1μm Apenas área de transferência de wafer	MTBF	Maior ou igual a 1000 horas
Processo aplicável	Linha I, KrF, ArF, PI, PR, Pacote	MTBM	>seis meses
Material de contato de wafer	ASML, Nikon, CANON, CECT, SMCC	Taxa de quebra de wafer	Menor ou igual a 0,01%
Cassetes	FOUP; SMIF; ABRIR CASSETE	TEMPO ATIVO	Maior ou igual a 95%
Área de aplicação	Semicondutor composto, circuito integrado, dispositivo de energia, chip de memória, projeto de pesquisa científica, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, wafer warping, wafer quadrado	Ambiente de execução de software	Sistema operacional Windows 10 ou posterior
Largura mínima da linha	90 nm	Módulo de placa fria e quente	(LHP; CPL; ADH; HCH; PHP; HCP) Menor ou igual a 38PCS

⑤DS500

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Visão geral do dispositivo DS 500
Tamanho do dispositivo (mm)	*537021002650* Interface 4C4D+	Tamanho da bolacha	Bolachas de 8- 12 polegadas (200 mm- 300 mm)
WPH	Menor ou igual a 200 unidades	MTTR	Menor ou igual a 4 horas
Classificação de Mérito	Class1@0.1μm Apenas área de transferência de wafer	MTBF	Maior ou igual a 1000 horas
Processo aplicável	Linha I, KrF, ArF, PI, PR, Pacote	MTBM	>seis meses
Material de contato de wafer	ASML, Nikon, CANON, CECT, SMCC	Taxa de quebra de wafer	Menor ou igual a 0,01%
Cassetes	FOUP; SMIF	TEMPO ATIVO	Maior ou igual a 95%
Área de aplicação	Semicondutor composto, circuito integrado, dispositivo de energia, chip de memória, projeto de pesquisa científica, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, wafer warping, wafer quadrado, CoWoS	Ambiente de execução de software	Sistema operacional Windows 10 ou posterior
Largura mínima da linha	45 nm	Módulo de placa fria e quente	(LHP; CPL; ADH; HCH; PHP; HCP) Menor ou igual a 42PCS