Equipamento RTP de baixa-temperatura

Equipamento RTP de baixa-temperatura

Equipamento RTP-de baixa temperatura: oferece controle de temperatura excepcionalmente preciso de 250 graus a 500 graus, lidando com tratamento térmico de materiais como niobato de lítio e silício de maneira eficaz.
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Descrição

Visão geral do produto

 

Equipamento RTP-de baixa temperatura: oferece controle de temperatura excepcionalmente preciso de 250 graus a 500 graus, lidando com tratamento térmico de materiais como niobato de lítio e silício de maneira eficaz.

 

Ele pode processar wafers de 150 8-polegadas por lote e também pode lidar com wafers de 6 polegadas. Ele elimina efetivamente os defeitos da rede, tornando-o adequado tanto para projetos piloto de pesquisa quanto para produção em massa.

 

O controle eficaz de contaminação por partículas do equipamento RTP de baixa temperatura melhora significativamente o desempenho do dispositivo, contribuindo enormemente para uma produção estável em toda a cadeia da indústria de semicondutores.

 

Vantagens

 

1. O controle de temperatura média e baixa é superpreciso-reduz bastante os defeitos da interface do wafer de silício e mantém a estabilidade e a uniformidade do processo sólidas.

2. O equipamento funciona de forma confiável, atendendo totalmente às rigorosas necessidades de precisão para fabricação de dispositivos optoeletrônicos.

3. O projeto de capacidade é preciso-, equilibrando P&D e produção em massa. A saída de-lote único é suficiente para que você possa alternar entre os estágios de produção sem trocar o equipamento.

4. Com purificação eficiente e controle constante de temperatura, combatemos a contaminação por partículas na fonte. Também aumenta o isolamento do dispositivo e a modulação do campo de luz, estabelecendo uma base sólida para alto rendimento.

 

Aplicativos

 

 
 

1. Fabricação de dispositivos semicondutores:

Funciona para criar CMOS, IGBTs e outros dispositivos-elimina defeitos da estrutura da interface wafer na faixa de temperatura baixa de 250 graus a 500 graus. Aumenta as propriedades elétricas dos materiais, torna os dispositivos mais confiáveis, aumenta o rendimento da produção em massa e mantém o desempenho do lote consistente.

 
 
 

2. Fabricação de dispositivos optoeletrônicos:

Compatível com VCSELs, fotodetectores e produtos similares. Reduz a interferência de partículas durante o recozimento, de modo que a qualidade da interface do wafer de silício permanece sólida. Também melhora a densidade do filme fino, o confinamento do campo óptico e o isolamento elétrico-além de ser compatível com niobato de lítio e outros materiais, suportando a produção integrada de dispositivos ópticos.

 
 
 

3. Validação de Pesquisa e Processo:

Perfeito para universidades e laboratórios que trabalham com-coisas de ponta, como carboneto de silício e chips quânticos. Flexibiliza facilmente experimentos em pequenos-lotes e processamento em grande-escala, com controle preciso de temperatura mantendo os processos estáveis. Ajuda a ajustar os parâmetros do processo e a conseguir avanços tecnológicos.

 

 

Parâmetros

 

Tamanho da bolacha

8 polegadas (compatível com 6 polegadas)

Faixa de temperatura

250 graus -500 graus

Zona plana

860mm

Capacidade de carga

150 wafers/lote

Materiais Aplicáveis

Niobato de lítio, silício, etc.

 

Perguntas frequentes

 

Quais tamanhos de wafer esse equipamento RTP de baixa{0}temperatura pode processar?

Ele lida principalmente com wafers de 8- polegadas, e os de 6 polegadas também funcionam. Perfeito para processar semicondutores e dispositivos optoeletrônicos de pequeno e médio porte.

Como é a faixa e a precisão do controle de temperatura? Ele consegue atender aos requisitos de processos-de baixa temperatura?

A temperatura varia de 250 graus a 500 graus e o controle é super preciso. A zona de temperatura constante tem 860mm de comprimento, por isso regula a faixa de baixa-temperatura com precisão-atende totalmente às necessidades de tratamento térmico de baixa-temperatura de semicondutores e dispositivos optoeletrônicos!

Qual é o número máximo de wafers que podem ser processados ​​por lote? Pode ser usado tanto para pesquisa quanto para produção em massa?

150 wafers por lote. Isso é suficiente para pequenos-experimentos em lotes em universidades e laboratórios e também atende às necessidades de eficiência dos trabalhos de produção em massa empresarial-para ambos os lados.

Que materiais ele pode processar? É compatível com dispositivos optoeletrônicos comumente usados?

Pode processar materiais como niobato de lítio e silício. Ótimo para fabricar dispositivos semicondutores como CMOS e IGBTs, além de dispositivos optoeletrônicos como VCSELs. Abrange todos os principais requisitos de materiais.

O que garante a estabilidade do processo, como o controle da contaminação por particulados?

Possui controle avançado de contaminação por partículas e tecnologia de purificação eficiente para reduzir a interferência de partículas durante o processamento. Além disso, o controle de temperatura de alta-precisão mantém processos como oxidação e recozimento uniformes e estáveis-sem necessidade de se preocupar com o rendimento do produto.

 

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