Equipamento RTP de oxidação-de alta temperatura

Equipamento RTP de oxidação-de alta temperatura

O equipamento RTP de oxidação de alta-temperatura da nossa empresa é um equipamento térmico essencial na produção de semicondutores em-grande escala. Ele foi projetado especificamente para criar filmes de SiO₂ limpos e densos em substratos de silício, adequados para a fabricação de dispositivos CMOS, IGBT e MEMS.
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Descrição

Visão geral do produto

 

O equipamento RTP de oxidação de alta-temperatura da nossa empresa é um equipamento térmico essencial na produção de semicondutores em-grande escala. Ele foi projetado especificamente para criar filmes de SiO₂ limpos e densos em substratos de silício, adequados para a fabricação de dispositivos CMOS, IGBT e MEMS.

 

O equipamento RTP de oxidação de alta-temperatura modelo de 12-polegadas é geralmente usado para produção em massa avançada de wafers de grande porte, mas o modelo de 8 polegadas é compatível com uma variedade de métodos de oxidação, atendendo totalmente às principais necessidades de produção em massa. Esta é a distinção fundamental entre os dois equipamentos.

 

Para encontrar a máquina certa para suas necessidades, entre em contato conosco.

 

Indústrias de aplicação

 

Indústria de fabricação de semicondutores (circuitos integrados, dispositivos discretos, dispositivos optoeletrônicos, etc.)

Indústria de eletrônicos de nova energia (relacionado a semicondutores de potência)

Indústria-de fabricação de componentes eletrônicos de alta tecnologia

Campo de pesquisa de semicondutores e produção piloto (universidades, instituições de pesquisa)

 

Produtos de aplicação

 

  1. Dispositivos semicondutores principais: chips CMOS, dispositivos de potência IGBT, sistemas microeletromecânicos MEMS, dispositivos RF, etc.
  2. Produtos-relacionados ao usuário final: componentes principais para equipamentos de comunicação 5G, componentes eletrônicos automotivos, chips eletrônicos de consumo, chips de controle industrial, etc.
  3. Dispositivos de pesquisa: amostras de verificação de processos de novos materiais semicondutores, protótipos-de pesquisa e desenvolvimento de dispositivos de última geração, etc.

 

Vantagens

 

Controle preciso de temperatura (±0,5 graus), processo estável;

01

Câmara limpa, qualidade de membrana confiável;

02

Produção em lote{0}}de alta eficiência, adaptação flexível;

03

Adaptação flexível de tamanho/processo para cobrir diferentes necessidades de produção em massa.

04

 

Parâmetros

 

Item

Modelo de 12 polegadas

Modelos de 8 polegadas

tamanho da bolacha

12 polegadas

8 polegadas

Carga do tablet

Maior ou igual a 125 peças/barco

Adaptado às necessidades de produção em massa de 8 polegadas

Faixa de temperatura

-

600-1150 graus

Precisão do controle de temperatura

±0,5 graus

Menor ou igual a ±0,5 grau

Comprimento da zona de temperatura constante

Maior ou igual a 850 mm

300-860mm

Uniformidade da espessura do filme

WIW/WTW/RTR Menor ou igual a ±2%

WIW Menor ou igual a ±2%; WTW Menor ou igual a ±2%

Processos aplicáveis

Preparação de filme de óxido em substrato de silício

Oxigênio seco (Si), oxigênio úmido (evaporação rápida/banho-maria/ignição de H2O)

 

Perguntas frequentes

 

Qual é o objetivo principal deste equipamento RTP de oxidação de alta-temperatura?

Para criar um filme de SiO₂ limpo e denso em substratos de silício, adequado para processar estruturas-chave em dispositivos semicondutores.

Quais são as principais diferenças entre os modelos de 12 e 8 polegadas?

O modelo de 12-polegadas é principalmente para produção em massa avançada de wafers de grande porte, enquanto o modelo de 8 polegadas é compatível com vários processos de oxidação, cobrindo as principais necessidades de produção em massa.

Quais são a precisão e o alcance do controle de temperatura?

O controle de temperatura é preciso de ±0,5 graus; o modelo de 8 polegadas tem uma faixa de temperatura de 600-1150 graus, atendendo às necessidades dos principais processos de oxidação.

Qual é a capacidade de processamento-em lote único?

O modelo de 12- polegadas pode conter mais de 125 wafers por lote, enquanto o modelo de 8 polegadas é adequado para produção em massa, com eficiência acompanhando as demandas em grande escala.

Quais dispositivos semicondutores são adequados?

CMOS, IGBT, MEMS, etc., podem ser usados, servindo como camadas de isolamento, camadas de buffer e outras estruturas principais.

A limpeza da câmara é garantida?

Materiais profissionais e design estrutural garantem a pureza da preparação do filme, livre de impurezas.

 

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