Visão geral do produto

O Equipamento Desktop RTP Adaptável a wafers de pequeno-tamanho, o equipamento apresenta design compacto e posicionamento flexível. O controle de temperatura cobre a temperatura ambiente de 800 graus (termopar) e de 500 graus a 1200 graus (pirômetro infravermelho), com uma taxa de aquecimento máxima de 150 graus/s (somente wafer). A uniformidade da temperatura é menor ou igual a ± 3 graus (menor ou igual a 600 graus) / menor ou igual a ± 0,5% (> 600 graus) e a reprodutibilidade é de ± 1 grau, garantindo controle preciso da temperatura. Ele emprega modos manuais de carga/descarga e abertura/fechamento de portas, é equipado com campainha e luzes de advertência e suporta controle por PC. O equipamento RTP de desktop pode atender aos requisitos básicos de processamento térmico rápido, como recozimento de implantação iônica e crescimento de óxido em pesquisa e desenvolvimento de laboratório e cenários de produção de pequenos-lotes.

Vantagens

Altamente adaptável ao espaço: o design compacto permite posicionamento flexível, exigindo espaço mínimo e adequado para laboratórios ou ambientes de produção de pequenos-lotes com espaço limitado.

Controle de temperatura preciso e estável: A uniformidade da temperatura atinge menos ou igual a ± 3 graus (menor ou igual a 600 graus) / menor ou igual a ± 0,5% (> 600 graus), atendendo aos requisitos de precisão de temperatura dos processos básicos.

Operação segura e intuitiva: Equipado com campainha e luzes de alerta, indica prontamente o estado do equipamento, reduzindo riscos operacionais. O controle do PC é suportado e o ajuste dos parâmetros é conveniente.

Boa adaptabilidade a processos básicos: Suporta pressão mínima de 30mTorr e teor de oxigênio de<3ppm. With 4-channel maximum MFC, it meets basic vacuum and atmosphere requirements, adapting to various simple and rapid heat treatment scenarios.

Aplicativos

Recozimento de implantação iônica

Crescimento simples de óxido/nitreto

Pré-tratamento de liga de silicieto

Liga preliminar de contato ôhmico

Outro tratamento térmico de pequenas amostras

Parâmetros

Modelo	RTP-100
Tamanho da bolacha	6 polegadas e abaixo
Tamanho	910mm×860mm×695mm(L×P×A)
Faixa de temperatura	RT~~800 graus (controlado por termopar) 500 graus ~1200 graus (controlado por pirômetro)
Taxa máxima de aquecimento	150 graus /s---somente wafer 20 graus /s---portadora SiC 30 graus /s---Revestimento transportador de grafite SiC
Uniformidade de temperatura	Menor ou igual a ±3 graus @ Menor ou igual a 600 graus Menor ou igual a ±0,5% @ >600 graus
Repetibilidade de temperatura	±1 grau
Número de lâmpadas/SCRs	29 cada/10 conjunto
Máx. MFC	4
Pressão mais baixa	30mTorr
Taxa de vazamento	10mTorr/min
O₂Percentagem	<3 ppm
Potência máxima/média	60/36 kW
Tensão	380V/ 60HZ/ 3 Fase 5 Fios
Método de controle	Controle de PC

Perguntas frequentes

A campainha toca e a luz avisadora acende após a inicialização?

Primeiro, pressione “RESET” para parar o alarme. Verifique se a porta da cavidade está bem fechada e se a trava da porta está segura. Se o problema persistir, verifique a fiação do sensor de travamento da porta.

Que precauções devem ser tomadas ao carregar e descarregar manualmente os wafers?

Use luvas limpas para evitar contaminação. Manuseie o wafer com cuidado para evitar colisões e garantir que ele esteja centralizado no transportador.

Como alterno entre o controle de temperatura do termopar/pirômetro infravermelho?

Switch the "Temperature Control Mode" in the PC software: Use thermocouple for ≤800℃, manually switch to infrared for >800 graus. O sistema será calibrado automaticamente após a troca.

A taxa de aquecimento não é de 150 graus/s (somente wafer)?

Confirme que não há transportadora (transportadoras de SiC/grafite limitarão a taxa); verifique se todas as lâmpadas estão funcionando corretamente. Componentes defeituosos exigem serviço pós-venda.

A uniformidade da temperatura excede ±3 graus (menor ou igual a 600 graus)?

Confirme o wafer Menor ou igual a 6 polegadas; verifique a potência da lâmpada no software; se estiver anormal, consulte a orientação do engenheiro para ajuste-fino; limpe regularmente a câmara de quartzo e depois calibre.

Oxidação da superfície do wafer?

Verifique se o vácuo é menor ou igual a 30 mTorr (se for insuficiente, verifique se há vazamentos e substitua o óleo da bomba de vácuo); confirme o teor de O₂ <3 ppm (se exceder, substitua o cilindro de gás/verifique se há vazamentos na tubulação).

Pontos-chave da manutenção diária?

Limpe a câmara de quartzo com álcool semanalmente, verifique o conjunto da lâmpada a cada 3 meses (substitua após 1000 horas), verifique o anel de vedação quanto ao envelhecimento mensalmente, certifique-se de que o resfriamento da água não exceda 70 graus.

O alarme de baixa pressão do equipamento Desktop RTP?

R: Desligue o processo, verifique a tubulação de vácuo, reinicie a bomba; se ainda estiver anormal, verifique a taxa de vazamento (se exceder 10 mTorr/min, localize e repare o vazamento).

O PC não consegue ler os parâmetros?

Verifique o cabo de comunicação entre o equipamento e o PC, reinicie e tente novamente; se ainda não houver dados, verifique a fiação do sensor ou entre em contato com-o pós-venda para verificar o driver do software.

Como parar o equipamento em caso de emergência?

Pressione “EMO Emergency Stop” para cortar a fonte de calor e abrir a tampa; após a falha ser resolvida, pressione "RESET" para reiniciar e reiniciar.