Equipamento de limpeza química de wafer único

Equipamento de limpeza química de wafer único

O equipamento de limpeza química-de wafer único é uma plataforma automatizada de limpeza úmida de-wafer único desenvolvida para requisitos de limpeza frontal-e pós{3}}de semicondutores. Ele realiza limpeza de substrato e camada epitaxial, remoção de fotorresiste, remoção de óxido e outros procedimentos de limpeza críticos.
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Descrição

Visão geral do produto

 

O equipamento de limpeza química-de wafer único é uma plataforma automatizada de limpeza úmida de-wafer único desenvolvida para requisitos de limpeza frontal-e pós{3}}de semicondutores. Ele realiza limpeza de substrato e camada epitaxial, remoção de fotorresiste, remoção de óxido e outros procedimentos de limpeza críticos.

A máquina adota braços de pulverização múltiplos e bicos de pulverização fixos para realizar diversas combinações de pulverização de líquidos. O fluxo de ar descendente estável otimiza o ambiente da câmara estática e dinâmica. A estrutura de vários-copos alcança uma separação química eficaz, e o mecanismo de separação de gás-líquido segrega resíduos orgânicos líquidos e descarga de-água desionizada. A função de-limpeza automática-inteligente integrada suporta processos SPM de alta-temperatura e reduz a frequência de manutenção preventiva. O equipamento oferece suporte à compatibilidade de wafers de vários tamanhos e cobre substratos como Si, SiC, LN, LT, Glass, GaAs, InP e Sapphire. As opções de câmaras modulares de 2{14}}8 câmaras atendem a demandas que vão desde pesquisa e desenvolvimento de laboratório até fabricação em massa de alto volume.

Vantagens

Excelente desempenho de limpeza

Controle rigoroso de partículas Menor ou igual a 10ea@0.1μm, contaminação ultra-de íons metálicos até 5E9 átomos/cm². Remove efetivamente partículas, resíduos orgânicos e impurezas metálicas para garantir o rendimento do-processo subsequente.

Controle Ambiental de Câmara Otimizado

O fluxo descendente vertical estável dentro da câmara suprime a-fixação de partículas. A estrutura de vários-copos isola diferentes produtos químicos para evitar contaminação-cruzada. O projeto de separação de gás-líquido separa resíduos orgânicos e água-DI para um descarte mais seguro de resíduos.

Sistema flexível de pulverização-multimodo

Equipado com até três braços aspersores e um bico fixo. Vários padrões de pulverização podem ser combinados para se adaptarem a diversas receitas de limpeza para diferentes substratos e condições de contaminação.

Função de auto{0}manutenção inteligente

A função Auto{0}Clean integrada suporta limpeza SPM em altas-temperaturas. Reduz a carga de trabalho de limpeza manual e prolonga o tempo médio entre manutenções preventivas.

 

Aplicativos

 

  • Embalagem Avançada

  • Dispositivos MEMS

  • Dispositivos semicondutores de potência

  • Circuitos Integrados de RF

  • Óptica de semicondutores

  • Componentes de comunicação óptica

  • Fabricação de fotomáscaras

  • Laboratórios de universidades e institutos de pesquisa

     

 

Parâmetros

 

Item

Especificação

Modelo

Série ACL

Função de Processo

Limpeza de substrato e camada epitaxial, tira PR, remoção de óxido

Substratos Suportados

Si, SiC, LN, LT, Vidro, GaAs, InP, Safira

Configuração da Câmara

2-8 câmaras (opcional)

Controle de Partículas

Menor ou igual a 10ea@0,1 μm

Contaminação de íons metálicos

5E9 átomos/cm²

Unidade de Pulverização

Até 3 braços aspersores + 1 bico fixo

Recurso principal

Limpeza-automática, compatível com processo SPM-de alta temperatura, separação de-líquidos e gases

Modo de processamento

Processamento automático de-wafer único

Dimensão (2-4 câmaras)

2560 × 2426 × 2863 mm (L×P×A)

Dimensão (8 câmaras)

5252 × 2412 × 2959 mm (L×P×A)

 

Perguntas frequentes

 

Perguntas frequentes

P: Quais tarefas de limpeza este equipamento de limpeza química de wafer único pode realizar?

R: Ele lida com limpeza de substrato e camada epitaxial, remoção de fotorresiste, remoção de camada de óxido e outros fluxos de trabalho de limpeza úmida de semicondutores padrão. É amplamente utilizado antes e depois dos processos de litografia, gravação e deposição de filmes finos. Forneça o material do substrato e o tipo de contaminação para ajuste da receita.

P: Qual é a vantagem do mecanismo de separação gás-líquido?

R: Ele separa resíduos químicos orgânicos e fluxos de drenagem de água DI. Evita a mistura cruzada de produtos químicos na tubulação de resíduos, reduz a corrosão da tubulação e facilita o tratamento subsequente de resíduos líquidos.

P: O que a função Auto Clean faz?

R: Auto Clean é uma função inteligente de autolimpeza da câmara. Ele suporta limpeza SPM de alta temperatura para o interior da câmara, reduz o acúmulo de partículas dentro das cavidades e diminui a frequência de manutenção de PM.

P: A máquina pode processar diferentes tamanhos de wafers?

R: Sim. A plataforma foi projetada para compatibilidade com wafers de vários tamanhos. A troca entre tamanhos de wafer qualificados não requer modificação de hardware em grande escala.

P: Qual é a diferença entre a limpeza química de wafer único e a limpeza em lote?

R: A limpeza de wafer único trata cada wafer de forma independente, com controle preciso sobre dosagem química, temperatura e tempo de processo. Ele atinge desempenho superior de partículas e íons metálicos, adequado para semicondutores compostos, chips ópticos e dispositivos de última geração com requisitos rigorosos de limpeza. A limpeza em lote processa vários wafers juntos e é mais econômica para a produção de wafers de silício padrão em grande volume.

P: Posso escolher uma versão de câmara pequena para uso em laboratório?

R: Sim. A quantidade de câmaras pode ser selecionada de 2 a 8. Configurações de baixa contagem de câmaras são adequadas para P&D e produção experimental de pequenos lotes, enquanto versões com maior contagem de câmaras são direcionadas para linhas de produção em massa.

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